胡小会-材料科学与工程学院

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胡小会

阅读次数：发布时间：2019-05-10

基本信息

姓名：

胡小会

性别：

女

出生年月：

籍贯：

职称：

副教授，硕士生导师

E-mail：

xiaohui.hu@njtech.edu.cn

工作地点：

材料学科楼B321

学缘情况和工作经历

2014年	毕业于东南大学，获博士学位
2013-2015年	在芬兰Aalto University和东南大学从事博士后研究
2016年	加入新利18彩票材料学院

主要研究方向

主要从事二维纳米材料（石墨烯、过渡金属硫化物，磷烯等）的结构、性能和器件原理的研究。近5年来，先后主持国家自然科学基金、江苏省自然科学基金、教育部重点实验室开放课题、芬兰教育部基金等项目；先后骨干参与国家自然科学基金、江苏省杰出青年基金、教育部博士点基金等项目。研究成果发表于Nature Communications, The Journal of Physical Chemistry Letters, 2D Materials, Journal of Materials Chemistry A, Nano Research, Carbon, Physical Review B, Applied Physics Letters等国际知名期刊。其中SCI论文30余篇，研究成果被SCI引用200余次。

高水平代表性论文

[1] 1T phase as an efficient hole injection layer to TMDs transistors: a universal approach to achieve p-type cont acts. 2D Materials 2018, 5: 031012.

[2] In situ atomic-scale observation of monolayer graphene growth from SiC. Nano Research 2018, 11: 2809.

[3] Electrically driven cation exchange for In situ fabrication of individual nanostructures. Nature Communicatio ns 2017, 8: 14889.

[4] Cobalt-doping in Cu2SnS3: enhanced thermoelectric performance by synergy of phase transition and band st ructure modification. Journal of Materials Chemistry A 2017, 5: 23267.

[5] Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe2-WSe2 lateral heterostructures. Scientific Reports 2016, 6: 31122.

[6] Solubility of boron, carbon, and nitrogen in transition metals: getting insight into trends from first-principles calculations. The Journal of Physical Chemistry Letters 2015, 6: 3263.

[7] Semiconductor to metal to half-metal transition in Pt embedded zigzag graphene nanoribbons. The Journal of Physical Chemistry C 2014, 118: 16133.

[8] Synthesis of graphene-CNT hybrids via joule heating: Structural characterization and electrical transport. Car bon 2013, 53: 260.

[9] Gold-embedded zigzag graphene nanoribbons as spin gapless semiconductors. Physical Review B 2012, 86: 195418.

[10] Tuning electronic and magnetic properties of zigzag graphene nanoribbons by large-scale bending. Applied Physics Letters 2012, 100: 263115.

授权发明专利