二维半导体材料是一类重要的柔性电子材料。近年来，过渡金属硫属化合物因其半导体性、直接带隙、发光在可见光范围以及耦合的自旋能谷特性，引起了半导体物理学、自旋电子学、能谷电子学以及柔性电子学等领域科学家的广泛关注。程迎春教授自2011年以来，一直从事二维半导体材料，尤其是过渡金属硫属化合物方面的理论预测工作。

2014年，程迎春教授发现基于过渡金属硫属化合物的稀磁半导体中由于塞曼效应引起的能谷劈裂现象[Phys. Rev. B 89,155429 (2014)]。考虑到实验上制备过渡金属硫属化合物的稀磁半导体比较困难，于是提出实验上更易实现的磁性近邻方案，就是将过渡金属硫属化合物放在如EuO，EuS等磁性基底上来实现能谷劈裂。随后在理论[Adv. Mater. 28, 959 (2016)]上验证了这一方案。最近，程迎春教授与美国纽约州立大学布法罗分校物理系曾浩（Hao Zeng）教授合作，实验发现EuS衬底的磁交换场非常显著的增强了WSe₂能谷劈裂的系数，为2.5 meV/T。该工作提供了一种非常有效的调控能谷和自旋极化的手段。由于二维材料/铁磁材料异质结构在实验上较容易制备，而且具有增强的能谷劈裂效应，在信息存储与处理器件的应用中具有非常大的潜力。本工作由布法罗大学，新利18彩票 ，西安交通大学，内布拉斯加州立大学，滑铁卢大学等单位的研究组合作完成，近期发表于自然纳米杂志。

该工作得到国家自然科学基金等的支持。

文章链接：http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2017.68.html。

文章附件：nnano.2017.68.pdf