近年来，电致发光器件（Phosphorescent Organic Light-emitting Diodes, PhOLEDs）取得飞速的发展。然而，此类器件仍然存在结构复杂、效率滚降快等突出问题。良好载流子迁移率和合适的能级是实现器件结构简化和提高器件稳定性的主要途径之一。在本工作中，新利18彩票 先进材料研究院的李欢欢博士和南京邮电大学的陈润锋教授课题组提出了一种有效的设计主体材料的方法-在传统的四苯基硅分子的基础上将苯环换成具有传空穴能力比较强的咔唑，从而增强了化合物的热稳定性，继续增加咔唑的数目，可以改变化合物的电学性能，进而提高和增强电致发光器件的性能。设计、合成四种通过δ键连接的主体材料，通过量子化学计算表明这四个化合物具有典型的D-A特性，测试化学物具有比较高的载流子迁移率。通过硅原子连接的多样性，选择性的改善咔唑数目，有效的降低器件的稳定性，获得了超过24%的外量子效率。该项工作近期发表在J.Mater. Chem. C上。

该工作得到了国家自然科学基金委等项目的资助和支持。

文章链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/tc/c6tc03877h

文章附件：李欢欢-JMCC-2016-silicon–nitrogen bonded host materials.pdf