半导体产业借由缩小电子器件尺寸来提升性能，而目前硅基集成电路面临沟道宽度的物理极限，仅有原子层厚度的二维层状过渡金属硫族化物（TMDs）被寄予希望解决电子器件特征尺寸的瓶颈，延长摩尔定律的寿命。另外，将具有不同特性的二维材料堆叠组装成为范德华异质结，在原子水平上开辟了一个调控光电性质的新维度——堆垛工程，创造出丰富新颖的物理现象和独特功能。因此，开展二维材料堆垛调控研究将为后摩尔时代新器件的设计提供新的维度，从源头上解决集成工艺的兼容性问题，在芯片的基础问题研究和助推我国半导体芯片自主发展两方面都具有重要意义。

近日，新利18彩票先进材料研究院黄维院士、闫家旭研究员团队在期刊Adv. Mater.发表题为“Stacking-Engineered Heterostructures in Transition Metal Dichalcogenides”的综述性文章（Back Cover）。文章以二维TMDs材料层与层之间的堆垛构筑设计为主题，系统性地综述了双层TMDs异质结材料堆垛特性的研究进展，重点介绍了双层TMDs异质结材料的可控制备、常规表征及热点研究方向。另外，文章也重点关注了双层旋转TMDs中莫尔条纹和层间莫尔激子的最新进展。文章最后讨论了当前该领域内TMDs异质结材料在可控制备、堆垛依赖性研究及理论计算方面存在的问题及挑战，对未来转角TMDs类材料及器件的研究突破寄语展望。

作者：先进材料研究院；审核：王建浦