报告题目：后摩尔时代微电子新器件

报告人：韩根全 教授

邀请人：陈永华 教授

报告时间：12月4日（星期五）10:00

报告地点：科技创新大楼C501

摘要

报告重点介绍西安电子科技大学在后摩尔时代微电子新器件研究结果，包括负电容晶体管、新型类铁电非易失晶体管、高迁移率沟道晶体管以及Ga2O3功率器件等。

个人简介

韩根全，博士，西安电子科技大学教授，国家杰出青年基金获得者，国家重点研发计划项目首席科学家。2019年获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。本科毕业于清华大学材料科学与工程专业，2003年保送到半导体所直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作，期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果，被Semiconductor Today等网站多次转载报道。2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究。韩根全教授围绕后摩尔新型微电子器件和芯片取得了一系列重要研究成果，在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。韩根全教授目前为IEEE Electron Device Letters编辑。