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关于武汉大学林乾乾教授学术报告的通知
添加时间:2023/04/12 发布:
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报告题目:新型半导体材料载流子输运调控与器件设计

报告人:林乾乾教授

邀请人:王 琳 教授

报告时间:2023年4月14日(星期五)16:30

报告地点:科技D楼1903会议室


报告摘要

近几年,有机半导体、硫化物、杂化钙钛矿等新型半导体材料被广泛研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点,基于新型半导体的光电器件也取得了日新月异的进展,广泛应用于薄膜太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应晶体管等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体,新型半导体材料一般更无序和复杂多变,对其光电性能还缺乏系统性认识,在半导体器件上的工作原理也存在一些争议,对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本次报告,主要介绍基于泵浦-探测原理的瞬态微波光电导(TRMC)、深能级缺陷谱(DLTS)等技术应用于新型半导体的载流子动力学研究,主要关注于半导体器件和薄膜中载流子的产生、输运、复合、注入和抽取,还有界面层的调控等核心过程。通过对这些表征结果的分析和理解,进一步应用于光电器件的设计、模拟和优化上。


个人简介

林乾乾,武汉大学物理科学与技术学院教授/博士生导师,博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心,之后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年回国入职武汉大学物理科学与技术学院,获批国家高层次海外引进人才青年项目、湖北省青年百人等荣誉。主要从事半导体材料光电表征和器件的研究,包括瞬态光谱、载流子动力学和缺陷表征,光电探测器,薄膜太阳能电池和硫化物半导体等。在Nat. Photonics(2),Nat. Energy(2),Appl. Phys. Rev.(3),Nat. Commun.(3),Matter,Adv. Mater.(2),Adv. Energy Mater.(2),Adv. Funct. Mater.(3)和ACS Energy Lett.等期刊发表SCI论文90余篇,文章总引用6400余次,申请国内外专利十余项。


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